レジスト評価システム
フォトプロセス解析露光装置
ステップ露光することで最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能です。
露光されたサンプルをレジスト現像アナライザを用いて現像解析することにより、フォトレジストの材料開発やプロセス開発を加速します。さらに、オプションの脱ガス捕集ユニットを用いることにより、露光中のレジストからのアウトガスの成分分析が可能となります。
【製品一覧】 ｜ VUVES-4700i ｜ UVES-2000 ｜ UVES-2500 ｜ ArFES-3000 ｜ EBES-6000 ｜ EUVES-7000 ｜ EUVES-9000 ｜ EUVOM-9000 ｜ LUVC-5000
ArF、ArF液浸、KrF対応 オープンフレーム露光装置
VUVES-4700i
概要
露光波長の透過率を測定しDill Bパラメータを取得することもできます。
特長
光源・パワーモニター・移動ステージを搭載
ウェハサイズ： 4、6、8インチ
露光波長： 193nm、248nm
ショット数： 25ショット
ソフトウェア： リソテックジャパン製透過率計算ソフトウェア付属
g線、h線、i線、248nm(KrF)、ブロード光 露光装置
UVES-2000
概要
Hg-Xeランプを搭載し、フィルタにより248nm, 365nm, 405nm, 436nm およびブロード光での露光が可能です。
特長
露光波長： 248nm, 365nm, 405nm, 436nm、およびブロード光
照度： 5 mW/cm²
露光エリア： □10 mm/25 ショット
オプション： ABCパラメータ測定機能
アウトガス捕集機能
露光装置シリーズ カタログ
g線、h線、i線、248 nm(KrF)、ブロード光 露光装置 高照度/自動搬送仕様
UVES-2500
概要
Hg-Xeランプを搭載し、フィルタにより 248nm, 365nm, 405nm, 436nm およびブロード光での露光が可能です。
UVES-2000 の高照度・自動搬送タイプです。
特長
露光波長： 248nm, 365nm, 405nm, 436nm、およびブロード光
照度： 50 mW/cm²
露光エリア： □10 mm/25 ショット
および □5 mm/100 ショット
オプション： ABCパラメータ測定機能
アウトガス捕集機能
193 nm(ArF) 露光装置
ArFES-3000
概要
ArFエキシマレーザーを搭載し、193nm での露光が可能です。
特長
露光波長： 193nm
照度： 1mW/cm²
露光エリア： □10mm/25 ショット
オプション： ABCパラメータ測定機能
アウトガス捕集機能
電子線露光装置
EBES-6000
概要
E-gunを搭載し、加速電圧を変化させたEB露光が可能です。
特長
露光波長： 電子ビーム（EB）
照度： 1μC/cm²
加速電圧： 1 ～ 100KeV（1kev 刻み）
露光エリア： □5 mm/9 ショット
EUV露光装置
EUVES-7000
概要
ディスチャージ型EUV光源（Energetiq社製）を搭載し、13.5nm での露光に対応します。
特長
露光波長： 13.5nm
照度： 0.03mW/cm²
露光エリア： □10mm/12 ショット（サークル状）
オプション： ABCパラメータ測定機能
RGA
自動搬送EUV露光装置
EUVES-9000
概要
ディスチャージ型EUV光源（Energetiq社製）を搭載し、13.5 nm での露光に対応します。
EUVES-7000 の自動搬送タイプです。PEB HPが搭載されており、露光後速やかにPEBを行ないます。また、RGAを標準搭載し、露光中のアウトガス分析に威力を発揮します。
特長
露光波長： 13.5 nm
照度： 0.03 mW/cm²
露光エリア： □10 mm/12 ショット（サークル状）
オプション： Bパラメータ測定機能
EUVアウトガス評価装置
EUVOM-9000
概要
特長
露光波長： EB
照度： 0.1 - 5 μC/cm²
露光エリア： 300mmウェーハ上に複数の同心円状
ＣＧエリア： φ2 mm
RGA標準搭載
EUVミラーUVオゾンドライクリーナ
LUVC-5000
概要
EUV反射ミラーのドライ洗浄に有効です。
特長
照射波長： 148 nm UVオゾン
照度： 50 mW/cm²
照射エリア： φ50 mm
オゾン濃度計標準搭載
ファイバカメラ標準搭載
